財(cái)聯(lián)社1月24日訊（編輯 馬蘭）高端芯片代工廠的競爭正趨于白熱化，這促使代工廠增加資本支出，以滿足客戶對(duì)最新節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)需求。然而，在這一大勢之下，三星據(jù)稱將削減其代工部門的支出。

據(jù)媒體引述消息人士的話稱，三星代工部門將在新的一年中將資本支出削減一半以上，僅撥款5萬億韓元（約35億美元），而去年這一數(shù)字為10萬億韓元。過去近10年來，三星每年都在芯片代工和內(nèi)存生產(chǎn)商投入數(shù)十億美元。

這一策略的變更可能反映出三星在客戶需求上面臨麻煩，以及公司希望提高效率的意愿。三星據(jù)悉在先進(jìn)制造工藝上一直延期且良品率頻頻低于預(yù)期，導(dǎo)致其很難吸引到大型客戶。

消息還稱，三星位于韓國平澤工廠，負(fù)責(zé)生產(chǎn)4-7納米級(jí)芯片的生產(chǎn)線的利用率下降了30%以上。

與此同時(shí)，臺(tái)積電在上周表示，今年將大幅增加資本支出，為明年生產(chǎn)2納米級(jí)芯片做準(zhǔn)備。英特爾也表示將積極參與2納米級(jí)芯片的競爭，預(yù)計(jì)將小幅增加其資本支出。

攻守分化

三星可能將把2025年的重點(diǎn)放在韓國華城工廠的S3和平澤工廠的P2設(shè)施之上。S3中3納米芯片的產(chǎn)線可能部分升級(jí)為2納米，這幾乎不需要添置大量的全新生產(chǎn)設(shè)備就可以實(shí)現(xiàn)。

而到2025年，P2預(yù)計(jì)將安裝一條1.4納米芯片的測試線，月產(chǎn)能預(yù)估在2000-3000片晶圓。此外，三星還將對(duì)其他地區(qū)的工廠進(jìn)行小規(guī)模投資，如其位于美國的泰勒工廠，計(jì)劃是升級(jí)現(xiàn)有晶圓廠，而不是擴(kuò)大產(chǎn)能。

這種保守策略與臺(tái)積電的瘋狂擴(kuò)張形成鮮明對(duì)比。臺(tái)積電計(jì)劃在2025年投資380億-420億美元的資金，較2024年的297.6億美元顯著增加。其中70%的投資將流入先進(jìn)工藝，10-20%則被分配給特殊技術(shù)，剩下的部分投向先進(jìn)封裝、測試、掩模制造和其他領(lǐng)域。

這也與臺(tái)積電在2025年下半年量產(chǎn)2納米芯片的規(guī)劃相符。臺(tái)積電聲稱，計(jì)劃中的2納米試生產(chǎn)芯片數(shù)量高于此前3納米和4納米芯片的試生產(chǎn)數(shù)量，這代表著該公司將需要更多的2納米產(chǎn)能。

英特爾則也計(jì)劃在今年晚些時(shí)候提高其18A制造工藝的芯片生產(chǎn)數(shù)量，同時(shí)為下一代節(jié)點(diǎn)進(jìn)行準(zhǔn)備。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，該公司今年的資本支出將從2024年的110億-130億提高至120億-140億美元。