《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》21日訊，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間從2024年底推遲至2025年6月，而這一變化可能會(huì)影響到三星對(duì)HBM4內(nèi)存的規(guī)劃。三星電子原計(jì)劃在去年12月將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，達(dá)到結(jié)束開(kāi)發(fā)工作、進(jìn)入量產(chǎn)階段所需的水平。但在實(shí)際情況中，三星雖于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整體良率卻無(wú)法滿(mǎn)足要求。 (MoneyToday)