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HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊

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2025-01-31 07:33 來自彭博

財聯(lián)社1月31日電，英偉達據(jù)悉批準了三星的8層HBM3E人工智能存儲芯片。 (彭博)

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2025-01-23 11:23 來自財聯(lián)社劉蕊

HBM芯片需求火熱！SK海力士史詩級財報：季度營利暴增超20倍一舉超越三星

①韓國SK海力士公布財報，四季度營業(yè)利潤8.1萬億韓元，創(chuàng)歷史新高；
②HBM芯片銷售強勁，占公司DRAM總收入40%，預計2025年HBM銷售額增長100%以上；
③SK海力士計劃增加HBM3E供應(yīng)，適時開發(fā)HBM4，推進DDR5和LPDDR5生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換。

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2025-01-23 08:43

財聯(lián)社1月23日電，海力士與臺積電就16層HBM4進行密切合作，預計2026年下半年出貨。

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2025-01-23 08:21

財聯(lián)社1月23日電，SK海力士預計HBM銷售額2025年將增長100%以上。

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2025-01-23 07:38

【SK海力士計劃今年增加HBM3E供應(yīng)量并適時開發(fā)出HBM4】財聯(lián)社1月23日電，SK海力士發(fā)布截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告。SK海力士在財報中表示，公司計劃今年增加HBM3E的供應(yīng)量，并適時開發(fā)出HBM4，根據(jù)客戶的要求進行供應(yīng)。并且在需求穩(wěn)定持續(xù)的情況下，將為了具有競爭力的DDR5和LPDDR5生產(chǎn)，推進所需的先進工藝轉(zhuǎn)換。NAND閃存方面，繼去年之后也將以盈利為主的運營和滿足需求情況的靈活銷售戰(zhàn)略應(yīng)對市場。

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2025-01-21 12:24 來自 MoneyToday

【消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年恐影響HBM4】《科創(chuàng)板日報》21日訊，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從2024年底推遲至2025年6月，而這一變化可能會影響到三星對HBM4內(nèi)存的規(guī)劃。三星電子原計劃在去年12月將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，達到結(jié)束開發(fā)工作、進入量產(chǎn)階段所需的水平。但在實際情況中，三星雖于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整體良率卻無法滿足要求。 (MoneyToday)

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2025-01-16 11:32 來自 ZDNet

《科創(chuàng)板日報》16日訊，SK海力士計劃最早于2025年6月向英偉達交付HBM4樣品，預計將于第三季度末開始全面供應(yīng)產(chǎn)品。 (ZDNet)

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2025-01-14 09:09 來自臺灣工商時報

【DRAM產(chǎn)業(yè)供需預計2025年第二季度恢復平衡】《科創(chuàng)板日報》14日訊，業(yè)內(nèi)人士指出，三大廠將產(chǎn)能移往高頻寬記憶體(HBM)，DRAM產(chǎn)業(yè)供需預計于2025年第二季度恢復平衡，2025年下半年小幅供不應(yīng)求，報價有望趨于穩(wěn)定。 (臺灣工商時報)

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2025-01-09 11:49

【韓國SK集團會長崔泰源：SK海力士與英偉達正在加快研發(fā)HBM 已敲定今年供應(yīng)量】財聯(lián)社1月9日電，韓國SK集團會長崔泰源8日在2025年國際消費類電子產(chǎn)品展覽會（CES 2025）上舉行記者座談會時表示，人工智能（AI）在所有領(lǐng)域引領(lǐng)變化，不再是可選項。做AI市場的領(lǐng)頭羊還是跟隨者，將決定未來的發(fā)展。目前，AI產(chǎn)業(yè)先要具備基礎(chǔ)設(shè)施和人力資源等基本條件。我們要把握主動開創(chuàng)未來，不能依賴他國。崔泰源還介紹展會期間與英偉達首席執(zhí)行官（CEO）黃仁勛會面一事，稱雙方就高帶寬存儲器（HBM）和“物理AI”等話題交換了意見。SK海力士正向英偉達獨家供應(yīng)HBM，去年3月率先供應(yīng)第五代8層HBM3E產(chǎn)品，同年10月全球首次量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E內(nèi)存。崔泰源說，其間SK海力士HBM研發(fā)速度略慢于英偉達，對方（英偉達）要求SK海力士提速，而近期（SK海力士的）研發(fā)速度開始趕超，兩家公司正在加快研發(fā)HBM。雙方已通過工作層會議敲定了今年的供應(yīng)量。

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閱289.25W

2025-01-03 14:04 來自 Chosun Biz

【消息稱三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)】《科創(chuàng)板日報》3日訊，三星電子DS部門內(nèi)存業(yè)務(wù)部最近完成了HBM4內(nèi)存邏輯芯片設(shè)計，F(xiàn)oundry業(yè)務(wù)部現(xiàn)已根據(jù)該設(shè)計采用4nm制程啟動試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的HBM4內(nèi)存樣品。 (Chosun Biz)

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閱345.15W

2025-01-03 12:03

【SK海力士宣布將于CES展示16層HBM3E】《科創(chuàng)板日報》3日訊，SK海力士宣布將參加CES 2025，并將展出16層堆疊HBM3E樣品。SK海力士CEO郭魯正表示，SK海力士將于今年下半年開始量產(chǎn)第六代HBM(HBM4)。

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閱353.39W

2024-12-30 12:40

【TrendForce：預計2025年Q1 DRAM均價下跌】《科創(chuàng)板日報》30日訊，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔心美國可能拉高進口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價格預計下跌0%至5%。

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閱268.05W

2024-12-25 13:49

【機構(gòu)：預計2025年HBM出貨量將同比增長70%】《科創(chuàng)板日報》25日訊，據(jù)TechInsights報告指出，隨著AI的興起，特別是在機器學習和深度學習等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中，對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求空前高漲。預計2025年HBM出貨量將同比增長70%，因為數(shù)據(jù)中心和AI處理器越來越多地依賴這種類型的存儲器來處理低延遲的大量數(shù)據(jù)。HBM需求的激增預計將重塑DRAM市場，制造商將優(yōu)先生產(chǎn)HBM，而不是傳統(tǒng)的DRAM產(chǎn)品。

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閱287.61W

2024-12-23 14:35 來自臺灣工商時報

《科創(chuàng)板日報》23日訊，美光指出，下一季高頻寬記憶體(HBM)銷售額將季增一倍以上，并預估2025年全球HBM產(chǎn)值或超過300億美元。 (臺灣工商時報)

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閱265.82W

2024-12-23 10:47 來自 Wccftech

【美光：下一代HBM4內(nèi)存計劃2026年大規(guī)模生產(chǎn) 后續(xù)推出HBM4E】《科創(chuàng)板日報》23日訊，美光發(fā)布了其HBM4和HBM4E項目的最新進展。具體來看，下一代HBM4內(nèi)存采用2048位接口，計劃在2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而HBM4E將會在后續(xù)幾年推出。 (Wccftech)

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閱262.19W

2024-12-20 14:59 來自 TheElec

《科創(chuàng)板日報》20日訊，SK海力士已贏得向博通供應(yīng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的大訂單，預計明年下半年開始供應(yīng)。 (TheElec)

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閱334.62W

2024-12-11 16:21

【美國芯片公司Marvell推出定制HBM計算架構(gòu)】《科創(chuàng)板日報》11日訊，美國芯片公司Marvell宣布推出一種新的定制HBM計算架構(gòu)，使XPU能夠?qū)崿F(xiàn)更高的計算和內(nèi)存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正與云客戶和領(lǐng)先的HBM制造商美光、三星電子和SK海力士合作，為下一代XPU定義和開發(fā)定制HBM解決方案。

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2024-12-06 12:38 來自 Wccftech

【傳英偉達Rubin架構(gòu)將提前六個月發(fā)布】《科創(chuàng)板日報》6日訊，據(jù)傳，英偉達下一代Rubin架構(gòu)將提前六個月上市，Rubin產(chǎn)品線最初計劃于2026年推出，現(xiàn)已提前至2025年中期。Rubin預計將采用臺積電的3nm工藝，以及HBM4內(nèi)存芯片。 (Wccftech)

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2024-12-06 11:17

【博通推出首個3.5D F2F封裝技術(shù) 預計2026年生產(chǎn)】《科創(chuàng)板日報》6日訊，博通宣布推出行業(yè)首個3.5D F2F封裝技術(shù)，技術(shù)名為3.5D XDSiP，可在單一封裝中集成超過6000平方毫米的硅芯片和多達12個HBM內(nèi)存堆棧，可滿足大型AI芯片對高性能低功耗的需求。博通目前正在采用該技術(shù)開發(fā)五款產(chǎn)品，預計將于2026年2月開始生產(chǎn)。

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2024-11-29 07:30 來自環(huán)球網(wǎng)

【拜登政府考慮進一步管制對華芯片措施預計最早下周公布】財聯(lián)社11月29日電，美國彭博社28日引述知情人士消息稱，拜登政府正考慮進一步限制向中國出售半導體設(shè)備和人工智能內(nèi)存芯片，但不會采取此前提出的一些更嚴厲措施。這些限制措施最早可能會在下周公布。美國《連線》雜志27日稱，拜登政府預計在下周一宣布最新措施。據(jù)彭博社報道，知情人士表示，新規(guī)的具體內(nèi)容和發(fā)布時間已經(jīng)過多次調(diào)整，在發(fā)布之前可能都會發(fā)生變化。最新提案與早期有幾個關(guān)鍵不同點，首先就是美國將會把哪些中國公司拉入貿(mào)易限制清單。美國此前曾考慮制裁中國科技巨頭華為至少6家供應(yīng)商，但目前計劃僅將部分供應(yīng)商列入清單。報道特別提到，嘗試開發(fā)AI內(nèi)存芯片技術(shù)的長鑫存儲并不在清單之內(nèi)。最新版本的管制措施可能還將包括對高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的控制等內(nèi)容。 (環(huán)球網(wǎng))

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